半导体激光器的波长是什么决定的？

半导体激光器可以发射出不同波长的激光，不同波长的激光能够做的事情也不一样。那么半导体激光器的波长是由什么决定的呢?松盛光电来给大家介绍半导体激光器的波长取决于什么因素，来了解一下吧。

半导体材料

不同的半导体材料具有不同的禁带宽度，而半导体激光器的发射波长近似等于禁带宽度对应的能量，其关系为微米 。例如，GaAlAs-GaAs 材料的禁带宽度对应 0.85μm 波段，InGaAsP-InP 材料则适用于 1.3~1.55μm 波段。

温度

温度升高会使半导体的禁带宽度变小，从而导致波长变大。因为半导体中电子跃迁所释放的能量与禁带宽度相关，禁带宽度变小，释放的能量降低，根据波长与能量的反比关系，波长就会变长。

掺杂浓度

晶体的掺杂浓度会影响半导体激光器的波长。一般来说，掺杂浓度越大，阈值电流越小，电子与空穴的复合效率可能发生变化，进而影响到发射波长。

谐振腔结构

谐振腔的结构参数如长度、折射率等也会对波长产生影响。谐振腔的作用是使受激辐射在腔内得到多次反馈从而形成激光振荡，其结构决定了腔内光场的分布和模式，进而影响激光的波长和光谱特性。